英飞凌科技申请横向高电压半导体器件及其制造方法专利，提高器件性能与可靠性
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2026-04-01 21:52:02
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“横向高电压半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121772302A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及横向高电压半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：有前侧和与前侧相对的后侧的半导体本体；半导体本体内的前侧处的器件区域，其中器件区域包括至少一个横向半导体元件；和在器件区域与后侧之间的第二导电类型的第一掺杂区域，其中第一掺杂区域与后侧的第一部分交叠。半导体器件还包括半导体本体内的至少一个第二掺杂区域和至少部分覆盖半导体本体后侧的绝缘层，其中至少一个第二掺杂区域与后侧的第二部分交叠，其中第一掺杂区域布置在器件区域与至少一个第二掺杂区域之间。至少一个第二掺杂区域在以下至少一个方面不同于第一掺杂区域：掺杂浓度相差至少20%和/或掺杂的导电类型不同。后侧的第一部分和第二部分均与绝缘层横向交叠。
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来源：市场资讯
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