三安半导体申请一种发光二极管专利，能够增加发光二极管整体的结构强度以及结构稳定性
创始人
2026-03-26 16:15:53
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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管”的专利，公开号CN121728877A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种发光二极管，尤其是高电压驱动发光板二极管，其中相邻发光单元之间形成有连接结构，该连接结构包括填充层以及隔绝层，填充层位于相邻发光单元之间的隔离槽内，隔绝层位于填充层靠近半导体外延叠层的背面的一侧。连接结构作为相邻发光单元之间的支撑结构能够增加发光二极管整体的结构强度以及结构稳定性，能够防止转移过程中相邻发光单元之间出现断裂、破损等现象。另外，连接结构中的隔绝层与承载基板上的胶层接触，能够起到刻蚀阻挡层的作用，避免在巨量转移后去除该胶层时对连接结构造成破坏，保证连接结构的完整性，进而保证芯片结构的完整性及结构稳定性。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目58次，专利信息640条，此外企业还拥有行政许可406个。
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来源：市场资讯
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