铠侠申请半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法专利，可进行容易的擦除动作
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2026-03-25 04:48:45
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法”的专利，公开号CN121712008A，申请日期为2020年10月。
专利摘要显示，提供可进行容易的擦除动作的半导体存储装置。该半导体存储装置具备：第一层叠体，包括：交替层叠的多个第一导电层和多个第一绝缘层、在层叠方向上将所述多个第一导电层和所述多个第一绝缘层贯通的第一半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述多个第一导电层之间的电荷累积膜；第二绝缘层，设置在所述第一层叠体之上；第一选择栅极线，设置在所述第二绝缘层之上；以及第二半导体层，连接在所述第一半导体层的上部，将所述第二绝缘层和所述第一选择栅极线贯通，在所述第二半导体层的比所述第一选择栅极线靠上处形成有第一N型沟道形成区域，在比所述第一选择栅极线靠上处没有其他栅极线。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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