华力集成申请基于FDSOI的两位阻变存储器专利，提升存储窗口并降低漏电_微电子

华力集成申请基于FDSOI的两位阻变存储器专利，提升存储窗口并降低漏电

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2026-07-07 10:23:42

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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“基于FDSOI的两位阻变存储器结构、工艺集成方法及操作方法”的专利，公开号CN122349229A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种基于FDSOI的两位阻变存储器结构、工艺集成方法及操作方法。该结构包括衬底、绝缘层、半导体层、超浅沟槽隔离结构及晶体管。共用位线结构位于超浅沟槽隔离结构上方，与栅极同层设置。第一阻变存储单元位于共用位线结构与漏极之间，基于高介电质层和金属栅极层形成。第二阻变存储单元位于漏极上方，连接分离位线。本发明通过复用前段工艺形成共用位线及第一阻变单元，结合后段第二阻变单元，实现单晶体管双电阻结构，无需额外掩模版即可提高存储密度。同时，利用背向偏置电压调节读取电流，提升存储窗口并降低漏电，解决了现有技术工艺复杂、功耗大等问题。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2089次，专利信息2824条，此外企业还拥有行政许可544个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示投资降低上海位线集成存储器工艺结构专利集成方法超浅沟槽单元

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