华力集成申请基于FDSOI的两位阻变存储器专利，提升存储窗口并降低漏电
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2026-07-07 10:23:42
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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“基于FDSOI的两位阻变存储器结构、工艺集成方法及操作方法”的专利，公开号CN122349229A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种基于FDSOI的两位阻变存储器结构、工艺集成方法及操作方法。该结构包括衬底、绝缘层、半导体层、超浅沟槽隔离结构及晶体管。共用位线结构位于超浅沟槽隔离结构上方，与栅极同层设置。第一阻变存储单元位于共用位线结构与漏极之间，基于高介电质层和金属栅极层形成。第二阻变存储单元位于漏极上方，连接分离位线。本发明通过复用前段工艺形成共用位线及第一阻变单元，结合后段第二阻变单元，实现单晶体管双电阻结构，无需额外掩模版即可提高存储密度。同时，利用背向偏置电压调节读取电流，提升存储窗口并降低漏电，解决了现有技术工艺复杂、功耗大等问题。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2089次，专利信息2824条，此外企业还拥有行政许可544个。
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来源：市场资讯
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