中芯国际申请半导体结构及形成方法专利，有助于提升字线结构之间的击穿电压
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及形成方法”的专利，公开号CN121645869A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底包括第一区；位于第一区上的若干分立排布的字线结构；位于字线结构一侧的选择管栅；位于衬底上且覆盖字线结构和选择管栅的第一介质层，第一介质层内具有空气柱，空气柱位于相邻字线结构之间，空气柱的高度高于字线结构的高度；位于第一介质层表面的阻挡层；位于阻挡层表面的第二介质层，阻挡层的硬度大于第二介质层的硬度；利用阻挡层能够起到压力分散的作用，从而在形成第二介质层的过程中，减少第二介质层对空气柱的压力，从而避免或者减少空气柱的高度被压缩的问题，有助于提升字线结构之间的击穿电压；同时阻挡层具有阻挡作用能够起到阻止第二介质层内的氢离子扩散到第一介质层中，从而保证最终形成的半导体结构的性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目118次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目50次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。
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来源：市场资讯