新忆科技申请阻变存储器写入电路及其操作方法专利，提升了阻变存储器的写入效率_微电子

新忆科技申请阻变存储器写入电路及其操作方法专利，提升了阻变存储器的写入效率

创始人

2026-03-09 09:37:32

0次

国家知识产权局信息显示，北京新忆科技有限公司申请一项名为“一种阻变存储器写入电路及其操作方法”的专利，公开号CN121617444A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本公开是关于一种阻变存储器写入电路及其操作方法。其中，阻变存储器写入电路包括：上拉晶体管M1、检测晶体管M2、下拉晶体管M3、偏置电流源I1、逻辑电路、阵列选通管和阻变存储器阵列，上拉晶体管M1的一端与写操作电压源连接，另一端通过阵列选通管与阻变存储器阵列中的目标存储器件的第一端连接；下拉晶体管M3的一端接地，另一端通过阵列选通管与目标存储器件的第二端连接；检测晶体管M2的栅极通过阵列选通管与阻变存储器阵列中的目标存储器件的第一端连接，漏极连接偏置电流源I1，源极接地；逻辑电路的输入端连接检测晶体管M2与偏置电流源I1的连接节点，输出端连接上拉晶体管M1的栅极。本方案提升了阻变存储器的写入效率。

天眼查资料显示，北京新忆科技有限公司，成立于2018年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3218.1273万人民币。通过天眼查大数据分析，北京新忆科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息37条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示科技阵列投资电路存储器晶体管专利北京电流源I

上一篇：护航自动驾驶，这家公司用“成都造”芯片搭建信息“高速公路”

下一篇：金禄电子（301282）3月6日主力资金净买入131.91万元

新忆科技申请阻变存储器写入电路及其操作方法专利，提升了阻变存储器的写入效率

相关内容

热门资讯