长飞先进半导体申请半导体外延层及器件制备方法专利，提高了半导体外延层的质量
创始人
2026-03-08 01:14:04
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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体外延层的制备方法、半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121620097A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体外延层的制备方法、半导体器件及其制备方法，半导体外延层的制备方法包括：将衬底置于外延反应腔室内；向外延反应腔室内提供半导体外延层材料的反应源，于衬底的一侧形成半导体外延层；其中，半导体外延层形成过程中的中间产物包括至少一种化学键能大于Cl与Si之间的化学键能的含Si元素的气态化合物。本发明实施例提供的技术方案，减少了半导体外延层生长过程中形成的掉落物，减少了外延过程中的气相形核和寄生沉积，提高了半导体外延层的质量。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目38次，专利信息117条，此外企业还拥有行政许可62个。
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来源：市场资讯
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