国家知识产权局信息显示,英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“半导体模块及其形成方法”的专利,公开号CN121620277A,申请日期为2025年8月。
专利摘要显示,一种半导体模块包括金属片,所述金属片包括第一表面。所述半导体模块还包括耦合至所述金属片的所述第一表面的半导体管芯。电绝缘壳体包括环形框架,其中,所述电绝缘壳体包封所述半导体管芯和所述金属片的所述第一表面的至少一部分。此外,所述环形框架的接合区段直接接合至所述金属片的所述第一表面,其中,可电感应元件被包封在所述环形框架的所述接合区段附近。
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