三安光电申请发光二极管及发光装置专利，提升发光二极管的发光效率_微电子

三安光电申请发光二极管及发光装置专利，提升发光二极管的发光效率

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2026-03-07 14:14:24

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国家知识产权局信息显示，厦门三安光电有限公司申请一项名为“发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN121620020A，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其沿自下向上的方向依次包括：第一半导体层、超晶格层、发光层以及第二半导体层；发光二极管具有V型坑，V型坑由超晶格层向发光层延伸；V型坑具有倾斜侧壁，定义倾斜侧壁的上下两端分别为第一端点和第二端点；发光层具有水平下表面；定义水平下表面最靠近倾斜侧壁的端点为第三端点，过第三端点做垂直于倾斜侧壁的垂线，第一端点到垂线的距离为S1，第二端点到垂线的距离为S2，S1:S2＞0.8。借此设置，可以有效避免注入的空穴泄露到超晶格层或者第一半导体层内，进而提升发光二极管的发光效率。

天眼查资料显示，厦门三安光电有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门三安光电有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目44次，专利信息511条，此外企业还拥有行政许可41个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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