核芯智存申请铁电电容制备方法专利,有效降低下电极与铜衬垫之间的接触电阻
创始人
2026-03-05 11:43:03
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国家知识产权局信息显示,温州核芯智存科技有限公司申请一项名为“一种铁电电容的制备方法”的专利,公开号CN121604438A,申请日期为2025年11月。

专利摘要显示,本发明涉及一种铁电电容的制备方法,本发明主要目的在于采用磁控溅射工艺在电容孔底部沉积一层致密的TiN薄膜并去氧化层,使得TiN薄膜的电阻率仅为50~100uΩ·cm,其远低于氮化钽的电阻率,有效降低下电极与铜衬垫之间的接触电阻,提高存储器的读写速度和功耗,并有效阻隔在生成下电极时所产生的副产物,防止铜衬垫被刻蚀而导致存储单元失效。

天眼查资料显示,温州核芯智存科技有限公司,成立于2022年,位于温州市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本637.5万人民币。通过天眼查大数据分析,温州核芯智存科技有限公司参与招投标项目8次,财产线索方面有商标信息5条,专利信息45条,此外企业还拥有行政许可2个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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