兴福电子获得发明专利授权：“一种适用于微电子器件从硅锗/硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物”_微电子

兴福电子获得发明专利授权：“一种适用于微电子器件从硅锗/硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物”

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2026-03-04 03:40:49

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兴福电子（688545）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种适用于微电子器件从硅锗/硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物”，专利申请号为CN202411842530.0，授权日为2026年3月3日。

专利摘要：本发明涉及一种适用于微电子器件从硅锗/硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物及应用。所述组合物包括按照质量分数计的以下组分：聚亚烷基亚胺0.0001‑10 wt％；氟化物0.001‑10 wt％；氧化剂0.1‑70 wt%；缓冲组合物0.01‑50wt%；硅抑制剂0.00001‑1wt％；硅锗蚀刻稳定剂0.0001‑1wt％；消泡剂0.0001‑20wt％；余量为水。本发明组合物可用于在制造微电子器件的过程中从其上具有硅和硅锗叠层的微电子器件相对于硅而选择性地去除硅锗。

今年以来兴福电子新获得专利授权2个，较去年同期减少了66.67%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了3923.73万元，同比增38.91%。

通过天眼查大数据分析，湖北兴福电子材料股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目181次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息471条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可287个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

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