三五科技申请不含掺杂物的半导体器件专利，可在半导体层中产生电子积累区_微电子

三五科技申请不含掺杂物的半导体器件专利，可在半导体层中产生电子积累区

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2026-02-18 17:11:54

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国家知识产权局信息显示，三五科技有限责任公司申请一项名为“不含掺杂物的半导体器件、制造方法以及电路元件”的专利，公开号CN121549073A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，公开了一种不含掺杂物的（也被称为无掺杂的）半导体器件（10），包括：本征半导体层（12）；与半导体层（12）接触的第一触点（13），第一触点（13）包括第一金属层，该第一金属层被配置为与半导体层（12）形成欧姆接触并且提供第一触点（13）以在半导体层（12）中产生电子积累区（130）；与半导体层（12）接触的第二触点（14），第二触点（14）包括第二金属层，该第二金属层被配置为与半导体层（12）形成欧姆接触并且提供第二触点（14）以在半导体层（12）中产生空穴积累区（140），其中，第一触点和第二触点彼此相邻地布置，使得电子积累区（130）和空穴积累区（140）形成pn结（150），并且其中，第一金属层和第二金属层彼此电分离。此外，公开了使用相同的诱导掺杂区并产生pn结的原理的双极晶体管、MOSFET、IGBT以及由此形成的集成电路，以及制造不含掺杂物的半导体器件（10）的方法。此外，公开了使用相同的诱导掺杂区并产生pn结的原理的双极晶体管、MOSFET、IGBT以及由此形成的集成电路，以及制造不含掺杂物的半导体器件（10）的方法。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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