长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利，沿远离沟道层的方向上第一预设元素的含量逐渐降低_微电子

长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利，沿远离沟道层的方向上第一预设元素的含量逐渐降低

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2026-02-18 10:40:09

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121548106A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：衬底；沟道层，沟道层包括在衬底上堆叠的多个沟道子层；栅极层，栅极层至少部分环绕每一沟道子层；源/漏区，沿第一方向上，源/漏区位于沟道层的两侧，源/漏区至少包括第一子层和第二子层，第一子层包围第二子层的外侧壁，第一子层包含第一预设元素；其中，第一方向平行于衬底的平面，且沿远离沟道层的方向上，第一预设元素的含量逐渐降低。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息234条，专利信息650条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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