卡尔蔡司申请获得晶片中半导体结构测量方法专利，实现从楔形切口感兴趣区域的3D重建中获取测量
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2026-02-17 10:24:02
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国家知识产权局信息显示，卡尔蔡司SMT有限责任公司申请一项名为“用于从一个或多个楔形切口获得晶片中至少一个半导体结构的至少一个测量的方法以及对应的系统”的专利，公开号CN121532796A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明关于用于获得晶片中的至少一个半导体结构的至少一个测量的方法，其包含：通过使用FIB柱以倾斜角GF铣削至检查体积以露出检查体积中的一横截面表面而获得晶片的检查体积的楔形切口，并以带电粒子束成像系统对横截面表面进行成像；提取包含至少一个半导体结构的横截面的楔形切口的感兴趣区域；使用经训练的机器学习模型，以将楔形切口的感兴趣区域映像到感兴趣区域的3D重建；从3D重建获得至少一个测量。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
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