查奥微电子取得多级沟槽肖特基二极管组件专利，提高了器件的耐压性能
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2026-02-13 17:40:40
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国家知识产权局信息显示，无锡市查奥微电子科技有限公司取得一项名为“一种多级沟槽的肖特基二极管组件”的专利，授权公告号CN223912797U，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本实用新型涉及一种多级沟槽的肖特基二极管组件，属于肖特基二极管领域，包括设置于所述半导体基底顶部的沟槽件，所述沟槽件包括设置于所述半导体基底顶部的外延层，开设于所述外延层顶部的若干组深沟槽，若干组所述深沟槽的内壁均向下开设有子沟槽。该多级沟槽的肖特基二极管组件，通过在深沟槽内壁开设多级阶梯状子沟槽并在其底部设置低掺杂浓度半导体缓冲层，有效减少电场集中，使电场分布更均匀，提高了器件的耐压性能，同时，多级沟槽结构降低了金属与半导体接触界面的电场强度，提高了肖特基势垒高度，减少了反向漏电流，此外，多级沟槽设计减小了JFET效应，优化了电流传输路径，降低了导通电阻，增强了器件的热稳定性和长期工作可靠性。
天眼查资料显示，无锡市查奥微电子科技有限公司，成立于2018年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1030万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡市查奥微电子科技有限公司专利信息31条，此外企业还拥有行政许可12个。
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来源：市场资讯
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