爱思开海力士申请存储器装置和制造方法专利，沟道层不同部分包含不同杂质
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2026-02-11 10:44:19
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器装置和存储器装置的制造方法”的专利，公开号CN121487255A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本申请涉及存储器装置和存储器装置的制造方法。一种存储器装置包括：层叠结构，其包括在第一方向上与层间绝缘层交替层叠的导电层；沟道层，其延伸穿过层叠结构；以及电荷捕获图案，其位于沟道层和导电层之间并且在第一方向上间隔开。电荷捕获图案当中的第一电荷捕获图案的侧表面具有相对于第一方向的第一斜率，沟道层包括在第一方向上延伸的第一部分以及具有第一斜率的第二部分，沟道层的第一部分包括第一杂质，并且沟道层的第二部分包括第二杂质。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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