天成半导体攻克12英寸碳化硅“双路线”难题_微电子

天成半导体攻克12英寸碳化硅“双路线”难题

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2025-11-24 10:09:34

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11月20日，记者从太原中北高新技术产业开发区获悉，该区企业山西天成半导体材料有限公司继今年成功研制12英寸导电型碳化硅单晶材料后，依托自主研发设备，又攻克12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料技术难关，实现大尺寸碳化硅核心材料双技术路线的重大突破。

天成半导体成立于2021年8月，是太原中北高新技术产业开发区培育的高新、专精特新技术企业典范。依托区域良好的创新生态，企业已构建完整自主知识产权技术体系，斩获多项专利软著，其长晶设备获欧盟CE认证，企业更通过IATF16949车规质量管理体系认证，为产品进入高端市场奠定坚实基础。

目前，该企业已形成“装备+耗材+工艺服务”一体化解决方案能力，率先实现8英寸至12英寸导电型与半绝缘型碳化硅单晶材料可量产化。12英寸导电型碳化硅单晶材料晶体有效厚度已突破35毫米，自主研发的长晶设备可产出直径达350毫米的单晶材料，更形成了12英寸高纯半绝缘与N型单晶生长双成熟工艺体系。

这一系列成果的取得，源于企业对核心技术的持续攻坚，其先后攻克大尺寸扩径工艺、低缺陷单晶生长工艺等技术瓶颈，构建起从长晶设备制造、粉料制备、热场石墨组件制备到晶体加工的全流程自主可控生产线，产品质量达到国际领先水平。

近年来，太原中北高新技术产业开发区通过构建完善创新生态、强化要素保障，推动半导体产业集群化发展，培育出一批掌握核心技术的优质企业，此次天成半导体的技术突破，是其深耕半导体产业、强化创新驱动的生动缩影。中北高新区将持续为企业提供全生命周期服务，支持天成半导体等企业推进技术产业化落地，加速构建新兴产业集聚区，助力半导体产业自主可控发展。（记者范珉菲）

来源：山西日报

企业路线导电技术材料设备单晶导体碳化硅工艺中北高新区半导体长晶高纯半

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