敏芯微电子申请MEMS惯性传感器及其制备方法专利，有效降低底电极与衬底之间的寄生电容_微电子

敏芯微电子申请MEMS惯性传感器及其制备方法专利，有效降低底电极与衬底之间的寄生电容

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2026-01-13 16:37:26

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国家知识产权局信息显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为“MEMS惯性传感器及其制备方法”的专利，公开号CN121297825A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种MEMS惯性传感器及其制备方法，传感器包括层叠设置的第一支撑衬底以及第一晶圆；所述第一支撑衬底靠近所述第一晶圆的一侧设有第一凹槽；所述第一晶圆包括固定电极，所述固定电极在所述第一支撑衬底上的投影位于所述第一凹槽内，所述第一凹槽的底面与所述固定电极之间形成间隙；所述第一凹槽内设有沿垂直第一晶圆方向延伸且与所述固定电极连接的支撑柱。本申请在保证足够机械支撑的前提下，有效降低底电极与衬底之间的寄生电容，以适应多样化工况环境下的工程化应用需求。

天眼查资料显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司，成立于2007年，位于苏州市，是一家以从事水利管理业为主的企业。企业注册资本5602.3107万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州敏芯微电子技术股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息513条，此外企业还拥有行政许可16个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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