深圳争妍微电子申请高压驱动IC BCD工艺制造方法专利，简化了工艺流程_微电子

深圳争妍微电子申请高压驱动IC BCD工艺制造方法专利，简化了工艺流程

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2026-01-13 01:36:40

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国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种高压驱动IC BCD工艺制造方法”的专利，公开号CN121310640A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种高压驱动IC BCD工艺制造方法，包括以下步骤：通过光刻胶掩膜限定出待形成隔离结构的区域；在所述光刻胶掩膜下，对该区域依次进行晶格稳定剂共注入和多次能量及剂量均不相同的介电转换主剂注入；去除掩膜后，进行低温介电活化退火，将注入区域的硅材料原位转变为绝缘介质，形成隔离结构。本发明通过离子注入和低温退火替代了传统浅沟槽隔离工艺中的深刻蚀、介质填充及化学机械拋光等步骤，简化了工艺流程，并在形成隔离结构的全过程中保持了硅衬底表面的平坦。通过多次注入构建的梯度介电结构能够对隔离区电场进行调控，而低温退火工艺与BCD工艺具有良好的热预算兼容性。

天眼查资料显示，深圳争妍微电子有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳争妍微电子有限公司专利信息12条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造注入高压低温驱动隔离微电子工艺结构专利介电光刻胶掩膜

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