昆山麦沄申请高压Micro LED芯片结构及制造方法专利，芯片良率提升至92%以上_微电子

昆山麦沄申请高压Micro LED芯片结构及制造方法专利，芯片良率提升至92%以上

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2026-01-12 18:10:41

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国家知识产权局信息显示，昆山麦沄显示技术有限公司申请一项名为“一种高压Micro LED芯片结构及制造方法”的专利，公开号CN121310776A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请公开了一种高压MicroLED芯片结构及制造方法，适用于AR/VR、微型投影仪等场景，旨在解决现有高压MicroLED芯片堆叠结构复杂、衬底透光与强度失衡、电极绝缘层可靠性差及量产一致性低的问题；芯片结构包括透明支撑衬底、单层外延结构、透明导电层、优化叠层电极及带渐变窗口的双层隔离绝缘层，通过连接线路实现高压串联；方法含15个步骤，关键工艺参数明确，如磁控溅射功率100‑300W、PECVD温度200‑400℃，结合激光剥离与临时键合实现高效制备；本发明使芯片良率提升至92％以上，亮度提升0％‑15％，制造成本降低15％‑18％，像素间距可至3‑5μm，适配微型显示高压稳定驱动需求。

天眼查资料显示，昆山麦沄显示技术有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本287.5万人民币。通过天眼查大数据分析，昆山麦沄显示技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息32条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造显示高压投资昆山芯片 Micro 结构专利电极衬底绝缘层

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