南亚科技申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的导电性
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2026-01-12 17:09:36
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121310635A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，形成半导体结构的方法包括提供基板，基板包括密集区和稀疏区，形成第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构在基板的稀疏区上，第二栅极结构在基板的密集区上，在稀疏区上的第一栅极结构、密集区上的第二栅极结构和基板上共形沉积衬层，在稀疏区上的第一栅极结构的侧壁和密集区上的第二栅极结构的侧壁上形成第一介电，移除密集区上的第二栅极结构的侧壁上的第一介电，氧化衬层以形成氧化层，以及在氧化层上沉积第二介电且覆盖第一栅极结构和第二栅极结构。本发明的半导体结构具有在第一栅极结构上的第一间隔物和在第二栅极结构上的第二间隔物，其中第一间隔物的厚度不同于第二间隔物的厚度，从而提高半导体结构的导电性。
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来源：市场资讯
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