中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利,提高了半导体结构的性能
创始人
2026-01-10 16:08:28
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国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN121310614A,申请日期为2024年7月。

专利摘要显示,一种半导体结构及其形成方法,结构包括:衬底;叠层鳍部结构,所述叠层鳍部结构包括伪鳍部以及位于所述伪鳍部上的沟道鳍部;栅极结构,凸立于所述衬底上且覆盖所述伪鳍部的侧壁;金属栅极结构,位于所述栅极结构的顶部且横跨所述沟道鳍部,所述金属栅极结构覆盖所述沟道鳍部的顶部和侧壁;层间介质层,位于所述金属栅极结构露出的所述衬底上,且覆盖所述栅极结构和金属栅极结构的侧壁。使金属栅极结构的侧壁能够垂直于衬底的表面,提高了金属栅极结构对沟道鳍部的控制性能,降低了金属栅极结构出现泄露电流的概率,从而提高了半导体结构的性能。

天眼查资料显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于2000年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目129次,财产线索方面有商标信息150条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可446个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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