中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高了半导体结构的性能_微电子

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高了半导体结构的性能

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2026-01-10 16:08:28

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121310614A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；叠层鳍部结构，所述叠层鳍部结构包括伪鳍部以及位于所述伪鳍部上的沟道鳍部；栅极结构，凸立于所述衬底上且覆盖所述伪鳍部的侧壁；金属栅极结构，位于所述栅极结构的顶部且横跨所述沟道鳍部，所述金属栅极结构覆盖所述沟道鳍部的顶部和侧壁；层间介质层，位于所述金属栅极结构露出的所述衬底上，且覆盖所述栅极结构和金属栅极结构的侧壁。使金属栅极结构的侧壁能够垂直于衬底的表面，提高了金属栅极结构对沟道鳍部的控制性能，降低了金属栅极结构出现泄露电流的概率，从而提高了半导体结构的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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