爱思开海力士有限公司申请半导体装置的制造方法专利，在开口中形成沟道层
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2026-01-06 16:37:22
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN121284962A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，一种半导体装置的制造方法可以包括：形成层叠体；在层叠体中形成开口，该开口呈现具有长轴和短轴的椭圆形状；在开口中形成沟道层；在沟道层上方形成绝缘层；在绝缘层上方形成阻挡层；通过蚀刻阻挡层形成阻挡图案，阻挡图案位于长轴上的相对侧；沿长轴增加阻挡图案的厚度；通过使用阻挡图案作为蚀刻阻挡体来蚀刻绝缘层而形成绝缘图案；以及通过使用绝缘图案作为蚀刻阻挡体来蚀刻沟道层而形成沟道图案。
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来源：市场资讯
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