苏州信越半导体申请分子束外延化合物半导体生长速率定标方法专利，提高in-situ定标的准确性_微电子

苏州信越半导体申请分子束外延化合物半导体生长速率定标方法专利，提高in-situ定标的准确性

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2026-01-05 21:07:41

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国家知识产权局信息显示，苏州信越半导体有限公司申请一项名为“一种分子束外延化合物半导体生长速率定标的方法”的专利，公开号CN121250543A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种分子束外延化合物半导体生长速率定标的方法，所述方法包括：打开多族束源炉快门，在衬底上进行外延结构的生长，进行激光反射干涉测试，得到实时激光反射谱，计算对应生长温度下的生长速率；调整束源炉温度，计算对应生长温度下的生长速率，得出生长速率与生长温度的曲线；完成激光反射干涉测试后，完成全部外延结构生长，表征外延结构厚度，计算生长速率，校准生长速率与生长温度的曲线。本发明通过激光反射率干涉法，克服了RHEED振荡周期数受限导致的模拟计算误差，从而提高了in‑situ定标的准确性，同时结合ex‑situ，对生长速率曲线进行校准，从而实现了在单轮生长中高精度标定分子束外延的生长速率。

天眼查资料显示，苏州信越半导体有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本6007.5386万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州信越半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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