天岳半导体申请提高碳化硅晶锭激光剥离效率专利，可有效减小二次返工的次数
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2026-01-03 23:07:02
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国家知识产权局信息显示，上海天岳半导体材料有限公司申请一项名为“一种提高碳化硅晶锭激光剥离效率的加工方法及其剥离片”的专利，公开号CN121250552A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明提供了一种提高碳化硅晶锭激光剥离效率的方法及其剥离片，涉及激光剥离技术领域。包括：对碳化硅晶锭进行抛光，测试抛光后碳化硅晶锭表面的不同位置的首次电阻率信息，根据统计学关系构建电阻率与激光功率的标准关系式，将步骤S2测得的电阻率信息代入标准关系式，计算得到碳化硅晶锭表面不同位置处的目标功率值；根据目标功率值设置不同位置的激光加工条件，进行激光改质加工，将激光改质加工后的晶圆进行剥离，得到剥离片，剥离后的碳化硅晶锭返回步骤S1进行循环加工。通过电阻率一次测试获取具体电阻率数值，可获得最佳的激光加工参数，可有效减小二次返工的次数，极大的提高了剥离分片效率。
天眼查资料显示，上海天岳半导体材料有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本90000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海天岳半导体材料有限公司参与招投标项目15次，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可55个。
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