新存科技申请相变存储器专利，降低RESET电流
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2026-05-16 17:32:28
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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“相变存储器”的专利，公开号CN122054601A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请公开了一种相变存储器，该相变存储器包括衬底和多个存储单元，多个存储单元在衬底上阵列设置，存储单元包括相变存储层和电极层，电极层位于相变存储层沿第一方向的至少一侧，第一方向垂直于衬底的表面。其中，电极层包括沿第一方向叠置的第一子电极层和第二子电极层，第一子电极层的材料包括非晶碳，第二子电极层的热导率小于非晶碳的热导率。因此，相比于单纯采用非晶碳作为电极层而言，本申请采用的复合电极层的热导率降低，以减少相变存储层内的热量向电极层扩散，聚焦热量或电流密度至相变存储层，因此可以降低热扩散损失，提高热效率，进而降低RESET电流。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息221条。
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来源：市场资讯
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