电子电器
变频控制柜的滤波器作用是什么？
在现代工业自动化中，变频控制柜通过调节电动机的电源频率，实现对电动机速度和转矩的准确控制，从而提升整体设备的运行效率和节能效果。在这一过程中，滤波器作为变频控制...
江西龙跃光电有限公司成立 注册资本100万人民币
天眼查App显示，近日，江西龙跃光电有限公司成立，法定代表人为何龙，注册资本100万人民币，经营范围为一般项目：电容器及其配套设备销售，电子专用设备销售，电子专...
原创 马克龙携超豪华阵容访华，中方选择隆重接待，王毅外长衣着有讲究！
在国际舞台上，外交往来自古以来便是各国展示实力与影响力的重要途径。最近，法国总统马克龙的访华之行便是一个突出的例证。12月3日下午，当他的专机抵达北京首都国际机...
纽菲克光电取得汽车灯具用检测装置专利，提高了检测效率
国家知识产权局信息显示，常州市纽菲克光电制造有限公司取得一项名为“汽车灯具用检测装置”的专利，授权公告号CN223623792U，申请日期为2024年12月。 ...
星汉激光申请半导体结构及其制备方法、半导体激光器专利，改善了半导体结构的光谱纯度
国家知识产权局信息显示，深圳市星汉激光科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、半导体激光器”的专利，公开号CN121055151A，申请日期为20...
莫斯科举办首届电子游戏之夜 经典复古氛围下的宏大赛事
作为首届莫斯科国际游戏周的精彩一环，莫斯科第一次举办“电子游戏之夜”，创建了一个异彩纷呈的大型混合游戏空间，吸引了数千名访客汇聚线上线下，使其一夜之间成为众多玩...
北方华创：公司在HBM芯片制造领域可提供多款核心设备
证券之星消息，北方华创(002371)12月04日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提问：你好，目前已经有国内半导体设备已经批量出货给国内HBM厂...
大族数控取得一种PCB加工设备专利，降低了调节主轴组件位置的时间
国家知识产权局信息显示，深圳市大族数控科技股份有限公司取得一项名为“一种PCB加工设备”的专利，授权公告号CN223613555U，申请日期为2024年12月。...
三星显示申请电源、显示装置和电子装置专利，可基于输出控制信号输出电源电压
国家知识产权局信息显示，三星显示有限公司申请一项名为“电源、显示装置和电子装置”的专利，公开号CN121055768A，申请日期为2025年5月。 专利摘要显示...
上海拓芯原半导体有限公司成立 注册资本18000万人民币
天眼查App显示，近日，上海拓芯原半导体有限公司成立，法定代表人为彭哲，注册资本18000万人民币，经营范围为一般项目：电子产品销售；集成电路芯片及产品销售；集...
煜达（辽宁）微电子有限公司成立 注册资本1000万人民币
天眼查App显示，近日，煜达（辽宁）微电子有限公司成立，法定代表人为周浩楠，注册资本1000万人民币，经营范围为一般项目：集成电路芯片及产品制造；集成电路销售；...
中微半导体申请一种真空处理设备专利，提高抽真空效率
国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种真空处理设备”的专利，公开号CN121046781A，申请日期为2024年5月。专利...
华泰柏瑞中证韩交所中韩半导体交易型开放式指数证券投资基金(QDII）二级市场交易价格出现溢价风险
12月3日，华泰柏瑞基金管理有限公司发布公告称，近期，该公司旗下华泰柏瑞中证韩交所中韩半导体交易型开放式指数证券投资基金(QDII）（扩位证券简称：中韩半导体E...
股票行情快报：奥联电子（300585）12月3日主力资金净卖出259.66万元
证券之星消息，截至2025年12月3日收盘，奥联电子(300585)报收于19.75元，上涨0.97%，换手率4.49%，成交量7.68万手，成交额1.52亿元...
股票行情快报：中瓷电子（003031）12月3日主力资金净卖出834.01万元
证券之星消息，截至2025年12月3日收盘，中瓷电子(003031)报收于52.45元，下跌0.46%，换手率0.39%，成交量1.34万手，成交额7018.4...
股票行情快报：茂硕电源（002660）12月3日主力资金净卖出302.72万元
证券之星消息，截至2025年12月3日收盘，茂硕电源(002660)报收于9.65元，下跌0.92%，换手率1.2%，成交量4.11万手，成交额3964.32万...
股票行情快报：聚飞光电（300303）12月3日主力资金净卖出3638.70万元
证券之星消息，截至2025年12月3日收盘，聚飞光电(300303)报收于6.7元，下跌1.03%，换手率1.96%，成交量26.07万手，成交额1.75亿元。...
中微晶园取得降低抗辐射条形栅MOSFET击穿漏电电流方法专利
国家知识产权局信息显示，无锡中微晶园电子有限公司取得一项名为“一种降低抗辐射条形栅MOSFET击穿漏电电流的方法”的专利，授权公告号CN 115116853 B...
安徽长飞先进半导体取得抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法专利
国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司取得一项名为“一种抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法”的专利，授权公告号CN 114335145 B，...