电子电器
华润微申请光信号转换电路专利，运算放大器可工作于三种不同电路状态
国家知识产权局信息显示，华润微集成电路（无锡）有限公司申请一项名为“光信号转换电路”的专利，公开号CN121690210A，申请日期为2025年12月。 专利摘...
上海东软载波申请电荷泵电路及锁相环电路专利，静态失配电流和动态失配电流均较小
国家知识产权局信息显示，上海东软载波微电子有限公司申请一项名为“电荷泵电路及锁相环电路”的专利，公开号CN121690150A，申请日期为2025年12月。 专...
中国一汽申请用于自动驾驶控制器的传感器接入认证方法专利，降低了非法传感器接入自动驾驶控制器的风险
国家知识产权局信息显示，中国第一汽车股份有限公司申请一项名为“用于自动驾驶控制器的传感器接入认证方法、系统及设备”的专利，公开号CN121690688A，申请日...
华大九天：与西安电子科技大学签署战略合作协议
证券之星消息，华大九天(301269)03月19日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提问：请问贵公司终止收购芯和半导体后。有其他预备方案或者备选收...
山东信通电子申请巡检设备专利，除冰雪方便且效率高
国家知识产权局信息显示，山东信通电子股份有限公司申请一项名为“巡检设备”的专利，公开号CN121688633A，申请日期为2024年9月。 专利摘要显示，本申请...
信音电子：公司没有光纤连接器产品
证券之星消息，信音电子(301329)03月18日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者提问：曾总，您好，公司这也没有那也没有，光钎一钎难求有认证吗？...
高带宽存储器HBM板块3月19日跌3.68%，雅克科技领跌，主力资金净流出27.68亿元
证券之星消息，3月19日高带宽存储器HBM板块较上一交易日下跌3.68%，雅克科技领跌。当日上证指数报收于4006.55，下跌1.39%。深证成指报收于1390...
供给荒叠加涨价潮，资金借道ETF抢筹存储芯片
受国内云计算巨头接连宣布提价、三星罢工可能加剧“存储荒”的事件催化，A股存储芯片板块集体爆发。 截至3月18日收盘，复旦微电（688385.SH）、国科微（30...
PCB概念震荡走强 金禄电子涨超15%
人民财讯3月18日电，PCB概念震荡走强，金禄电子涨超15%，澳弘电子、沪电股份、金太阳、广合科技、云汉芯城等涨幅居前。
好达电子申请声表面波谐振器、滤波器及多工器专利，抑制横向模式
国家知识产权局信息显示，无锡市好达电子股份有限公司申请一项名为“一种声表面波谐振器、滤波器及多工器”的专利，公开号CN121690118A，申请日期为2025年...
力特保险丝取得晶闸管组件专利
国家知识产权局信息显示，力特保险丝公司取得一项名为“晶闸管组件”的专利，授权公告号CN115398646B，申请日期为2021年3月。 声明：市场有风险，投资需...
高真科技取得半导体薄膜沉积设备专利，精确控制晶圆各区域的薄膜沉积厚度
国家知识产权局信息显示，成都高真科技有限公司取得一项名为“半导体薄膜沉积设备”的专利，授权公告号CN224001498U，申请日期为2025年4月。 专利摘要显...
西安航天民芯科技取得闭环反馈控制电荷泵电路专利
国家知识产权局信息显示，西安航天民芯科技有限公司取得一项名为“一种基于闭环反馈控制的电荷泵电路”的专利，授权公告号CN120474330B，申请日期为2025年...
路维光电（688401）3月17日主力资金净买入35.91万元
证券之星消息，截至2026年3月17日收盘，路维光电(688401)报收于49.52元，下跌4.29%，换手率1.33%，成交量2.57万手，成交额1.3亿元。...
纵行未来取得分体式节能温振传感器专利，以适应复杂工业环境下的设备状态监测需求
国家知识产权局信息显示，厦门纵行未来科技有限公司取得一项名为“一种分体式节能温振传感器”的专利，授权公告号CN224004458U，申请日期为2025年4月。 ...
旭硝子取得嵌装玻璃热传感器专利
国家知识产权局信息显示，旭硝子欧洲玻璃公司取得一项名为“嵌装玻璃热传感器”的专利，授权公告号CN115997478B，申请日期为2021年8月。 声明：市场有风...
华为取得非对称半桥变换电路的控制器专利
国家知识产权局信息显示，华为数字能源技术有限公司取得一项名为“非对称半桥变换电路的控制器、电源模组及电子设备”的专利，授权公告号CN114759763B，申请日...
江苏兆胜空调取得船用电加热控制电路及方法专利
国家知识产权局信息显示，江苏兆胜空调有限公司取得一项名为“一种船用电加热的控制电路及其控制方法”的专利，授权公告号CN119815594B，申请日期为2024年...
意法半导体取得用于测量电容器的方法和系统专利
国家知识产权局信息显示，意法半导体股份有限公司取得一项名为“用于测量电容器的方法和系统”的专利，授权公告号CN115902420B，申请日期为2022年8月。 ...
摩珂达申请SiC MOS器件结构及其制备方法专利，降低了栅漏耦合电容（Cgd）
国家知识产权局信息显示，浙江摩珂达半导体有限公司申请一项名为“一种SiC MOS器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN121692702A，申请日期为2025...