国家知识产权局信息显示,东科半导体(安徽)股份有限公司申请一项名为“电源系统同步整流MOSFET的开关状态及异常行为在线监测方法”的专利,公开号CN121208697A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本发明涉及一种电源系统同步整流MOSFET的开关状态及异常行为在线监测方法。该方法通过在系统工作过程中采集同步整流MOSFET的漏‑源电压VDS信号和漏极电流I sd信号,对MOSFET的导通、关断及异常状态进行在线监测。具体包括:导通状态监测,当VDS小于或等于导通判定阈值时判定为导通,否则为关断;振荡状态监测,在设定时间窗口内VDS发生多次完整振荡时判定开关振荡;提前关断监测,在DCM模式下根据关断时I sd是否高于阈值判定提前关断,在CCM模式下根据电流下降趋势与零交点偏差判定提前关断;耐压监测,当VDS瞬态峰值超过器件额定耐压或裕量时判定不安全;误开通监测,在DCM模式下,当关断逻辑期间VDS接近开启阈值时判定存在误开通风险。该方法可提高电源系统可靠性。
天眼查资料显示,东科半导体(安徽)股份有限公司,成立于2011年,位于马鞍山市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5407.4936万人民币。通过天眼查大数据分析,东科半导体(安徽)股份有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目6次,财产线索方面有商标信息2条,专利信息157条,此外企业还拥有行政许可8个。
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