晶合集成申请半导体结构制备方法及半导体结构专利，防止产生因金属原子迁移而导致的电性失效问题_电子电器

晶合集成申请半导体结构制备方法及半导体结构专利，防止产生因金属原子迁移而导致的电性失效问题

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2026-05-06 11:31:13

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN121985805A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及集成电路技术领域，包括：提供顶面覆盖有第一叠层的衬底；形成贯穿第一叠层的至少一通孔后，于通孔内形成顶面低于介电叠层顶面的第一导电结构，横向刻蚀并去除部分介电叠层，得到暴露出第一导电结构全部顶面的凹槽；去除第一牺牲层后，形成至少覆盖凹槽侧壁的第二阻挡层；于凹槽内填满第二牺牲层后，形成覆盖第二牺牲层的第二叠层；形成贯穿第二叠层且下窄上宽的T型槽；去除第二牺牲层后，得到目标沟槽；形成覆盖目标沟槽内表面的第三阻挡层后，于目标沟槽内形成目标导电结构。至少能够防止产生因金属原子迁移而导致的电性失效问题。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目641次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息1621条，此外企业还拥有行政许可26个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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