杰冠微电子取得减少栅漏电容的SiC MOSFET器件专利，减少栅漏电容
创始人
2025-12-08 12:37:15
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国家知识产权局信息显示，扬州杰冠微电子有限公司取得一项名为“一种减少栅漏电容的SiC MOSFET器件”的专利，授权公告号CN223639614U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，一种减少栅漏电容的SiC MOSFET器件，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的N+衬底层、N-外延层、P-body区、欧姆接触合金层和正面电极金属层；所述P-body区的顶面设有向下延伸的倒梯形结构的栅极沟槽区；所述栅极沟槽区内设有厚度从上而下依次递增的栅氧化层；所述栅氧化层内设有倒梯形结构的Poly层；本实用新型采用倒梯形结构的栅极沟槽，减少了栅极和漏极的重叠区域，从而达到减少栅漏电容的目的，减少米勒平台时间，改善器件的开关损耗。另外本实用新型在栅沟槽槽底设计的较厚的栅氧层，其厚度值为厚度为60-70nm，进一步减少栅漏电容的目的，同时沉积的厚栅氧层7，可以缓解栅氧被电压尖峰击穿的风险。
天眼查资料显示，扬州杰冠微电子有限公司，成立于2022年，位于扬州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州杰冠微电子有限公司参与招投标项目4次，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可12个。
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来源：市场资讯
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