广东工业大学物理与光电工程学院唐新桂研究员团队在光电突触器件领域取得重要突破，相关研究成果以“Photoelectric memristor with reconfigurable photoconductivity for neuromorphic computing”为题，发表于国际著名期刊《Advanced Composites and Hybrid Materials》（中科院一区 Top 期刊，最新影响因子 21.8）。论文通讯作者为唐新桂研究员，2023级博士研究生李东亮为第一作者。

正负光电导的实时动态切换在先进光电子技术领域中日益凸显其重要性。本研究成功研制出一种基于溶液法制备的Ba2TiO4的光电忆阻器。通过光脉冲与外部电场的协同调控，该器件实现了正光电导与负光电导之间的可控切换。研究表明，该现象源于材料中氧空位和钡空位在光照下对光生载流子的捕获作用，从而形成显著的内建电场。该内建电场与外部电场协同作用，从而动态调控载流子输运路径，实现了光电导的重构。这种基于光电协同作用的重构机制，为器件功能的多样化提供了坚实基础。

此外，该器件成功模拟了人脑的“间隔学习效应”等高级认知行为，并展现出视觉自适应特性。通过构建卷积神经网络，并利用器件的可重构光电导特性，在MNIST和Fashion-MNIST数据集上实现了高精度的图像识别，同时完成了高效的运动检测任务。此项研究通过材料创新与机理探索，实现了感-存-算一体化的硬件突破，为新一代神经形态计算、自动驾驶以及智能机器人等领域的跨越式发展奠定了重要的技术基础。

原文链接：https://doi.org/10.1007/s42114-025-01545-1

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