星汉激光申请半导体结构及其制备方法、半导体激光器专利，改善了半导体结构的光谱纯度
创始人
2025-12-04 10:07:30
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国家知识产权局信息显示，深圳市星汉激光科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、半导体激光器”的专利，公开号CN121055151A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其制备方法、半导体激光器，涉及激光器的领域。半导体结构包括衬底、第一波导层、谐振结构和第二波导层；第一波导层设置于衬底沿厚度方向的表面；谐振结构包括有源区、输入层和输出层，有源区、输入层和输出层设置于第一波导层背离衬底的一侧；在平行于所述衬底所在平面内，输入层和输出层位于有源区的两侧，输出层倾斜设置，在远离衬底的方向上，输出层远离输入层；第二波导层设置于谐振结构远离第一波导表面，第二波导层连接谐振结构。本申请能够减小反射光和FP腔内光场之间产生干涉效应的可能性，使得半导体结构的纵模输出更加稳定，改善了半导体结构的光谱纯度。
天眼查资料显示，深圳市星汉激光科技股份有限公司，成立于2017年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本5555.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市星汉激光科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息220条，此外企业还拥有行政许可17个。
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来源：市场资讯
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