星汉激光申请半导体结构及其制备方法、半导体激光器专利，改善了半导体结构的光谱纯度_电子电器

星汉激光申请半导体结构及其制备方法、半导体激光器专利，改善了半导体结构的光谱纯度

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2025-12-04 10:07:30

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国家知识产权局信息显示，深圳市星汉激光科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、半导体激光器”的专利，公开号CN121055151A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其制备方法、半导体激光器，涉及激光器的领域。半导体结构包括衬底、第一波导层、谐振结构和第二波导层；第一波导层设置于衬底沿厚度方向的表面；谐振结构包括有源区、输入层和输出层，有源区、输入层和输出层设置于第一波导层背离衬底的一侧；在平行于所述衬底所在平面内，输入层和输出层位于有源区的两侧，输出层倾斜设置，在远离衬底的方向上，输出层远离输入层；第二波导层设置于谐振结构远离第一波导表面，第二波导层连接谐振结构。本申请能够减小反射光和FP腔内光场之间产生干涉效应的可能性，使得半导体结构的纵模输出更加稳定，改善了半导体结构的光谱纯度。

天眼查资料显示，深圳市星汉激光科技股份有限公司，成立于2017年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本5555.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市星汉激光科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息220条，此外企业还拥有行政许可17个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法投资激光输出深圳市有源导体结构谐振专利有源区半导体衬底导层谐振结构

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