华润华晶申请碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法专利，可在不牺牲器件BV的情况下降低VF_电子电器

华润华晶申请碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法专利，可在不牺牲器件BV的情况下降低VF

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2025-12-03 22:35:44

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国家知识产权局信息显示，无锡华润华晶微电子有限公司、华润微电子控股有限公司申请一项名为“碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法”的专利，公开号CN121057269A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本发明涉及一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法，所述碳化硅肖特基势垒二极管包括：衬底，具有第一导电类型；第一外延层，具有第一导电类型，位于所述衬底上方；第二外延层，具有第一导电类型，位于所述第一外延层上，且掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度；掺杂区，具有第二导电类型，从所述第二外延层的顶部向下延伸；所述碳化硅肖特基势垒二极管还形成有从掺杂区的顶部向掺杂区的内部延伸的沟槽；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；肖特基金属层，位于所述掺杂区上，并填入所述沟槽中。本发明能够在不牺牲器件BV的情况下降低VF。

天眼查资料显示，无锡华润华晶微电子有限公司，成立于2000年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本33500万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润华晶微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目622次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息238条，此外企业还拥有行政许可24个。

华润微电子控股有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本141126.4485万美元。通过天眼查大数据分析，华润微电子控股有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目55次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息161条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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