长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆专利，降低半导体器件的比导通电阻_电子电器

长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆专利，降低半导体器件的比导通电阻

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2025-12-01 21:11:36

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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121038358A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：衬底，包括相对设置第一表面和第二表面，设置为第一导电类型；第一表面侧设置有第一栅极和第一源极；第二表面侧设置有第二栅极和第二源极；半漏极和衬底电连接；衬底、第一栅极、第一源极和漏极构成第一金属‑氧化物场效应晶体管；衬底、第二栅极、第二源极和漏极构成第二金属‑氧化物场效应晶体管；第一金属‑氧化物场效应晶体管和第二金属‑氧化物场效应晶体管并联连接；漏极从元胞区延伸至终端区，穿过终端区与衬底电连接。上述技术方案降低了半导体器件的比导通电阻。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目24次，专利信息101条，此外企业还拥有行政许可15个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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