国家知识产权局信息显示,联华电子股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN122679887A,申请日期为2025年3月。
专利摘要显示,本发明公开一种半导体结构及其形成方法,其中半导体结构包含一基板,其上具有至少一穿硅通孔(TSV)形成区域;一介电层,设置于该基板上;以及至少一穿硅通孔,设置于该TSV形成区域中,并穿透该介电层且进入该基板,其中,该至少一穿硅通孔包含多个沿径向延伸的应力释放狭缝。
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