国家知识产权局信息显示,北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司、清华大学取得一项名为“一种堆叠电容及半导体器件”的专利,授权公告号CN224710015U,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本申请提供一种堆叠电容及半导体器件。所述堆叠电容包括基层介电层、电容主体、顶层介电层及第一、二导电结构;电容主体包括堆叠的导电层及位于相邻两层导电层之间的间隔介电层;堆叠电容具有第一连接区、导电层叠区及第二连接区;奇数层导电层位于第一连接区及导电层叠区,偶数层导电层位于第二连接区和导电层叠区;每相邻两层导电层的材料不同;第一连接孔贯穿各奇数层导电层及各间隔介电层;第二连接孔贯穿各偶数层导电层及各间隔介电层;第一导电结构填充于第一连接孔,第二导电结构填充于第二连接孔。
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