格科半导体申请半导体结构制造方法专利，有效避免内介电金属阻挡层出现剥落现象_电子电器

格科半导体申请半导体结构制造方法专利，有效避免内介电金属阻挡层出现剥落现象

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2026-09-02 10:24:50

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国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制造方法、半导体器件及电子设备”的专利，公开号CN122679886A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的制造方法、半导体器件及电子设备。该方法以包含衬底、层间介质层及光刻胶层的晶圆为处理对象，通过边缘珠状去除工艺对晶圆边缘特定区域进行清洗，并在图形化过程中保留晶圆边缘预定环形区域的光刻胶，经刻蚀处理及光刻胶去除后，共形沉积内介电金属阻挡层。本发明通过精准控制晶圆边缘保护区域边界，实现对缺陷源头区域的高精度、可重复局部界面改性，有效避免内介电金属阻挡层出现剥落现象，提升半导体器件的稳定性和可靠性，适用于半导体制造领域的规模化生产。

天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息185条，此外企业还拥有行政许可112个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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