国家知识产权局信息显示,先进光半导体(深圳)有限公司取得一项名为“一种超高压光耦继电器”的专利,授权公告号CN224653489U,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本申请提供了一种超高压光耦继电器,属于继电器领域,包括:安装底座,所述安装底座的顶部固定连接有外壳,所述外壳的内部阻隔设置有一组隔板。凭借光耦组件与碳化硅MOS管的核心配合结构,利用输入发光二极管的光信号,得以实现对碳化硅MOS管开关状态的精确控制,此核心功能直接实现了高压电路与控制电路的可靠隔离,碳化硅MOS管自身所具备的耐高压特性,乃是继电器能够适应超高压场景的关键所在,而光控方式从根本上避免了传统继电器受电磁干扰的缺陷,大幅提高了控制精度与工作稳定性,在结构与散热方面开展的优化设计,进一步确保了设备的稳定运行,多放置槽采用分隔设计,减少了组件之间的干扰,同时优化了电路布局。
天眼查资料显示,先进光半导体(深圳)有限公司,成立于2021年,位于深圳市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,先进光半导体(深圳)有限公司参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息13条,专利信息13条,此外企业还拥有行政许可2个。
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来源:市场资讯