LG伊诺特申请电路基板和包括该电路基板的半导体封装专利，过孔电极的水平宽度可以沿垂直方向相同
创始人
2026-08-05 16:46:55
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国家知识产权局信息显示，LG伊诺特有限公司申请一项名为“电路基板和包括该电路基板的半导体封装”的专利，公开号CN122515050A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，根据实施例的电路基板包括：积层绝缘结构，包括沿垂直方向层叠的多个绝缘层；过孔电极，设置在多个绝缘层中设置的过孔内；以及布线层，连接到过孔电极，其中，多个绝缘层中的至少一个包含无机填料，在过孔中与过孔电极的侧面面对的绝缘层不暴露无机填料，并且过孔电极的水平宽度可以沿垂直方向相同。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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