上海集成电路装备材料产业创新中心申请电容下电极图形刻蚀方法专利，提升高像素、高性能CMOS图像传感器中电容的可靠性_电子电器

上海集成电路装备材料产业创新中心申请电容下电极图形刻蚀方法专利，提升高像素、高性能CMOS图像传感器中电容的可靠性

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2026-07-24 13:00:07

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国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“一种电容下电极图形刻蚀方法及电容下电极”的专利，公开号CN122458438A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本申请公开了一种电容下电极图形刻蚀方法及电容下电极，属于半导体技术领域，该方法包括：在衬底表面沿厚度方向依次形成下电极、保护层和光阻胶层；曝光显影光阻胶层，形成图形化的光阻胶层；根据图形化的光阻胶层，沿厚度方向刻蚀保护层和下电极；刻蚀完成后，去除光阻胶层；去除光阻胶层后，进行湿法清洗，去除保护层，以去除附着在保护层表面的聚合物，得到电容下电极；聚合物是刻蚀过程和/或去除光阻胶层过程中形成的。本申请可以在保证性能的同时，有效地去除刻蚀过程和去除光阻胶层过程中在下电极背离衬底的一侧表面产生的聚合物，进而可以提升高像素、高性能CMOS图像传感器中电容的可靠性。而且该方法实现简单、成本低廉、效果显著。

天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目82次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息660条，此外企业还拥有行政许可211个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法创新中心电极投资上海高像素电容集成电路专利的可靠性保护层胶层聚合物

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