美浦森半导体取得沟槽MOS刻蚀深度监测装置及方法专利
创始人
2026-04-03 19:31:41
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国家知识产权局信息显示,深圳市美浦森半导体有限公司取得一项名为“一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置及方法”的专利,授权公告号CN119108295B,申请日期为2024年8月。

天眼查资料显示,深圳市美浦森半导体有限公司,成立于2014年,位于深圳市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市美浦森半导体有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息12条,专利信息84条,此外企业还拥有行政许可22个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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