容方半导体取得碳化硅外延生长反应室专利，拆卸过程中不会对晶柱造成磨损_电子电器

容方半导体取得碳化硅外延生长反应室专利，拆卸过程中不会对晶柱造成磨损

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2026-03-30 11:15:06

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国家知识产权局信息显示，江苏容方半导体科技有限公司取得一项名为“一种碳化硅外延生长反应室”的专利，授权公告号CN224047580U，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种碳化硅外延生长反应室，包括反应室，反应室一端可拆卸式连接有盖板，盖板的一侧设立有一对连接盘，两个连接盘为半圆形结构，连接盘内开设有插槽，连接盘上可拆卸式连接有外围板，外围板底部侧壁中间固定连接有基底，外围板内顶部侧壁中间固定连接连接柱，外围板通过连接柱与连接盘可拆卸式连接，本实用新型具有以下优点：需要时按压活动把手向下，这样就能将延伸进通孔内的延伸柱顶回活动槽内，以此将滑块向外驱动，从而带动连接盘向外展开，这样就能将连接柱从插槽内脱出，以此实现外围板的拆卸，通过这种方式能很方便的将外围板从盖板上卸下，且拆卸过程中不会对晶柱造成磨损。

天眼查资料显示，江苏容方半导体科技有限公司，成立于2024年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏容方半导体科技有限公司专利信息6条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示过程晶柱外延容方导体反应江苏碳化硅专利连接柱盖板外围板反应室

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