苏州镓敏光电申请复合膜层结构宽禁带半导体极紫外探测器专利，解决响应度与可靠性协调难点
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2026-03-28 22:50:54
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国家知识产权局信息显示，苏州镓敏光电科技有限公司申请一项名为“一种复合膜层结构的宽禁带半导体极紫外探测器”的专利，公开号CN121751775A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种复合膜层结构的宽禁带半导体极紫外探测器，属于半导体紫外光电探测器件技术领域。包括自下而上设置的欧姆接触电极、宽禁带半导体衬底层、n型4H‑SiC重掺杂层和低掺杂4H‑SiC光子吸收层，所述低掺杂4H‑SiC光子吸收层上设置有肖特基复合膜层和设置于所述肖特基复合膜层外围的钝化层，所述肖特基复合膜层和所述钝化层的连接处上方设置有金属焊盘，所述肖特基复合膜层包括设置于所述低掺杂4H‑SiC光子吸收层上方的Mo金属层和设置于所述Mo金属层上方的Ru金属层。能够解决现有极紫外探测器制备技术中响应度与可靠性之间的协调难点。
天眼查资料显示，苏州镓敏光电科技有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州镓敏光电科技有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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