长江存储申请半导体结构及其制作方法专利，使相同尺寸的半导体结构可以堆叠更多的器件层_电子电器

长江存储申请半导体结构及其制作方法专利，使相同尺寸的半导体结构可以堆叠更多的器件层

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2026-03-18 04:07:34

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国家知识产权局信息显示，长江存储控股股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN121692662A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在使半导体结构可以堆叠更多的器件层，增加了半导体结构封装器件层的数量。本申请实施例提供的半导体结构包括多个层叠设置的堆叠层以及第一键合结构，相邻两个堆叠层通过第一键合结构连接；堆叠层包括多个层叠设置的器件层，以及第二键合结构，相邻两个器件层通过第二键合结构连接。在器件层通过第二键合结构连接后，可以减小器件层的厚度，进而在堆叠层通过第一键合结构连接形成半导体结构的过程中，使相同尺寸的半导体结构可以堆叠更多的器件层，增加了半导体结构封装器件层的数量，进而提高了半导体结构的总容量。

天眼查资料显示，长江存储控股股份有限公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1782000万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储控股股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目3次，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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