智微智能取得增加MOS管切换系统供电时带载能力的电路专利，有效避免MOS管快速关断时电流易超出安全工作区的问题_电子电器

智微智能取得增加MOS管切换系统供电时带载能力的电路专利，有效避免MOS管快速关断时电流易超出安全工作区的问题

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2025-11-25 17:07:29

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国家知识产权局信息显示，深圳市智微智能科技股份有限公司取得一项名为“一种增加MOS管切换系统供电时的带载能力的电路”的专利，授权公告号CN223584157U，申请日期为2025年2月。专利摘要显示，本实用新型涉及一种增加MOS管切换系统供电时的带载能力的电路，包括电源SA、PMOS管PQ1、电阻R1、电阻R2、二极管D1和控制PMOS管PQ1关断的开关电路；PMOS管PQ1的源极和漏极分别与电压相同的两电源SA连接，栅极与电阻R1连接；电阻R1远离PMOS管PQ1的一端与开关电路连接；电阻R1与二极管D1并联，二极管D1的输入端与电阻R2连接，电阻R2远离二极管D1的一端与电源SA连接；二极管D1的输出端与PMOS管PQ1的栅极连接；本实用新型提供的电路结构简单，并且有效避免MOS管快速关断时电流易超出MOS管的安全工作区的问题，有利于降低电路的整体功耗和成本，具有较好的实用性。

天眼查资料显示，深圳市智微智能科技股份有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25168.3168万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市智微智能科技股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息44条，专利信息1055条，此外企业还拥有行政许可21个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业供电切换投资电路时带载深圳市智微专利二极管 R2 栅极电阻R

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