长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储系统专利，该半导体结构包括第一电极层和电容介质层_电子电器

长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储系统专利，该半导体结构包括第一电极层和电容介质层

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2026-03-03 13:13:18

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储系统”的专利，公开号CN121604424A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一电极层和电容介质层。第一电极层沿第一方向贯穿堆叠结构，其中堆叠结构包括交替堆叠的第一介质层和第二电极层。电容介质层位于第一电极层和第二电极层之间。多个第二电极层相连接。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1446次，财产线索方面有商标信息976条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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