苏纳光电申请深沟槽电容及其制备方法专利，能够在保持高电容密度的同时实现低ESR与低结构应力_电子电器

苏纳光电申请深沟槽电容及其制备方法专利，能够在保持高电容密度的同时实现低ESR与低结构应力

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2026-06-24 04:52:39

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国家知识产权局信息显示，苏州苏纳光电有限公司申请一项名为“一种深沟槽电容及其制备方法”的专利，公开号CN122269785A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本公开提供了一种深沟槽电容及其制造方法。深沟槽电容包括：衬底，该衬底的表面设置有多个图案单元，其中，每个图案单元包括在第一方向上依次排布的多个U型图案，每两个相邻U型图案的开口朝向相反并且彼此插合，多个图案单元在衬底的表面上沿第一方向和第二方向均呈轴对称分布，第二方向垂直于第一方向且平行于开口朝向；在衬底上的堆叠结构，其包括多个导电层和至少一个介质层，并且每个导电层和每个介质层在垂直于衬底的方向上彼此间隔堆叠；以及在堆叠结构上的互联结构，其将堆叠结构中的多个导电层与外部设备进行互联。根据本公开的深沟槽电容能够在保持高电容密度的同时实现低ESR与低结构应力。

天眼查资料显示，苏州苏纳光电有限公司，成立于2014年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本626.9992万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州苏纳光电有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息190条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业同时实现投资沟槽方向苏纳电容密度专利苏州图案深沟槽衬底导电层

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