北京晨晶电子申请三电极硅电容器结构专利，有利于电子设备或系统的小型化_电子电器

北京晨晶电子申请三电极硅电容器结构专利，有利于电子设备或系统的小型化

创始人

2026-02-18 17:11:04

0次

国家知识产权局信息显示，北京晨晶电子有限公司申请一项名为“三电极硅电容器结构及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN121548053A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种三电极硅电容器结构及其制备方法、电子设备，属于半导体技术领域，三电极硅电容器结构，包括：硅衬底，硅衬底的正面形成有沟槽网络；叠层电容结构，设置于沟槽网络内以及硅衬底的正面，叠层电容结构包括至少一层由底电极、介质层和顶电极构成的叠层结构；其中，底电极覆盖沟槽网络的底面和侧面以及硅衬底的正面，介质层覆盖底电极，顶电极填充沟槽网络并覆盖介质层，底电极与硅衬底电性连接；第一正面电极和第二正面电极，设置于硅衬底的正面，并分别与顶电极和底电极电性连接；背面电极，设置于硅衬底的背面，与硅衬底电性连接。本发明在提升电容密度的同时，利用三电极提高了电路连接灵活性，有利于电子设备或系统的小型化。

天眼查资料显示，北京晨晶电子有限公司，成立于2000年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1890.92323万人民币。通过天眼查大数据分析，北京晨晶电子有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目529次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息178条，此外企业还拥有行政许可72个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示电极投资电子电容器系统小型化结构专利沟槽硅衬底介质层

上一篇：深圳供电局申请电力变压器调压开关在线补油装置专利，能够在电力变压器不停电的情况下对调压开关进行在线补油

下一篇：国星光电申请LED器件及制备方法专利，提高LED器件出光显示效果

北京晨晶电子申请三电极硅电容器结构专利，有利于电子设备或系统的小型化

相关内容

热门资讯