华太电子申请半导体结构形成方法专利，解决接触电阻较高问题_电子电器

华太电子申请半导体结构形成方法专利，解决接触电阻较高问题

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2026-02-17 17:41:22

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国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法及半导体结构”的专利，公开号CN121548291A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构。形成方法包括：形成衬底，并在衬底的表面形成第一离子注入区。在衬底上形成第一外延层，并在第一外延层的表面形成第二离子注入区。在第一外延层上形成第二外延层。形成第二接触孔，并使第二接触孔沿第二外延层的堆叠方向贯穿第二外延层，以暴露第二离子注入区，以及，形成第一接触孔，使第一接触孔沿第二外延层的堆叠方向贯穿第二外延层及第一外延层，以暴露第一离子注入区。形成导电互连层，导电互连层位于第一接触孔与第二接触孔，且均与第一离子注入区及第二离子注入区连接，以使衬底与第一外延层通过导电互连层电导通。本申请可解决对深槽接触孔优化时接触电阻较高的问题。

天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息511条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资华太电阻外延导体结构专利苏州孔沿半导体导电互连层衬底离子

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